Главная > Разное > Электротехнические чертежи и схемы
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

8.3. Топологические чертежи

Топологические чертежи определяют ориентацию и взаимное расположение элементов и контактов ИС на подложке, а также форму и размеры пленочных элементов и соединений между ними. Геометрическая форма пленочных элементов по возможности должна быть простой, так как это упрощает их производство, увеличивает точность изготовления и надежность.

Топологический чертеж пленочной ИС выполняют в масштабе или При разработке чертежа необходимо учитывать методы получения элементов схемы и очередность нанесения слоев. Как правило, в целях лучшего теплоотнода резистивные пленки располагают на поверхности подложки, затем проводящие пленки межсоединений или обкладки конденсаторов, далее изолирующие пленки. При выполнении топологических чертежей используют условные обозначения типов слоев. Резистивный слой изображают площадками с точечным фоном;

(кликните для просмотра скана)

Рис. 8.6. (см. скан) Схема электрическая принципиальная тонкоплеиочной гибридной ИС


проводники, контактные площадки, обкладки конденсаторов заштриховывают тонкими линиями с углом наклона к контуру чертежа 45°, различая их между собой направлением и частотой штриховки. Диэлектрический слой ограничивают штрихпунктирной линией, а защитный — штриховой по ГОСТ 2.306-68.

На рис. 8.5 приведен пример выполнения топологического чертежа платы гибридной тонкопленочной ИС. Для построения топологического чертежа использована схема электрическая принципиальная, приведенная на рис. 8.6. На схеме изображены все элементы и компоненты и электрические связи между ними

Рис. 8.7. Топологический чертеж резистивиого слоя гибридной тонкопленочной микросхемы (2-й лист)

по ГОСТ 2.702-75. Перечень элементов помещен на первом листе в виде таблицы.

На топологическом чертеже изображена плата после нанесения последнего слоя. Условные обозначения слоев и их технические характеристики помещены в табл. 1 на иоле чертежа. Внешним контактным площадкам присвоены порядковые номера, которые проставлены условно по часовой стрелке, начиная с нижней левой площадки; внутренним площадкам также присвоены номера. Пассивные пленочные элементы обозначены в соответствии с электрической принципиальной схемой. Местоположение навесных элементов (микротранзисторов) показано метками в виде уголка на резистивном слое.

По топологическому чертежу платы разрабатывают чертежи слоев микросхемы по элементам (резисторы, проводники, контактные площадки, обкладки конденсаторов, диэлектрики и т. д.).

На рис. 8.7 приведен чертеж резистивного слоя, оформленный последующим (вторым) листом. Он выполнен в том же масштабе, что и чертеж платы. Размеры и расположение пленочных элементов заданы координатным способом. Каждому элементу присвоено буквенно-цифровое обозначение по топологическому чертежу. Вершины прямоугольников последовательно пронумерованы, начиная с левого нижнего угла по часовой стрелке в пределах чертежа. Таблица координат составлена в порядке возрастания; в ней приведены координаты всех вершин. На последующих листах топологического чертежа изображаются отдельные слои.

На плату ИС устанавливают навесные элементы и компоненты в соответствии с принципиальной схемой. Такие платы оформляют как сборочные чертежи в соответствии с требованиями ГОСТ 2.109 73. На рис. 8.8 приведён пример выполнения сборочного чертежа ИС. Он содержит изображение платы с навесными элементами и сведения о соединении

(кликните для просмотра скана)

(кликните для просмотра скана)

(кликните для просмотра скана)

составных частей. Технические требования записаны в соответствии с установленными правилами.

Плата ИС (рис. 8.8) должна быть установлена в корпус, и для этого разрабатывается еще один сборочный чертеж «Микросхема гибридная» (рис. 8.9). Чертеж включает изображение ИС, размеры исполнительные и справочные, технические требования. В спецификации данного сборочного чертежа (рис. 8.10) отражен полный состав конструкторской документации на тонкопленочную гибридную ИС (ГИС).

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление